宏捷科技股份有限公司创立于1998年4月，位于台湾台南科学工业园区。在1999年七月发表第一片砷化镓异质界面双极电晶体(GaAs HBT)。公司已于2009年六月一日挂牌上柜。目前员工人数达500人，各自拥有不同的技术背景。公司以制造砷化镓异质界面双极电晶体（GaAs HBT），假型高速电子迁移率电晶体（pHEMT），整合性被动元件（IPD）以及砷化镓高效率聚光型太阳能（CPV）为主之晶片代工厂。

公司的服务团队将为您提供有元件蓝图（Device Layout）规则及设计模组之设计手册。目前厂房Class 100无尘室的产能为每周2000片6吋晶片，公司计划在现有厂房扩充设备，每周最大产能可达3000片。

宏捷提供可靠的功率放大器及光电电路设计之GaAs HBT制程，经证实其所制造电晶体之平均故障时间为使用时间达100多万小时。我们确信能提供良好的制程控管效能及高良率 之产量去符合客户所需之效能及成本。