英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，我们相信GaN可以改变世界，我们的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。

英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

我们设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。同时，因为我们拥有大规模量产能力、采用8英寸先进的生产工艺，所以在产能、器件性能、可靠性、工艺稳定性及价格合理性都具有显著的竞争优势。我们与众多客户和合作伙伴携手致力于氮化镓技术相关系统和解决方案的开发。

我们拥有先进的光刻技术，能生产线宽较小的器件，从而显著提升器件的性能。我们为客户提供一站式服务，能满足客户对高压、低压的各种需求。我们的大规模量产能力及8英寸先进生产工艺，能确保器件的稳定供应及合理价格。这些都是保障氮化镓能够大规模商业化应用的必要条件。同时，我们持续创新与提升技术，保证英诺赛科始终走在氮化镓领域的前沿。我们已经拥有完整的技术路线图，能满足客户不同应用方向的不同需求，同时也能针对客户的特殊需求定制解决方案。

英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用先进的生产工艺及来的最先进的8英寸硅基氮化镓生产设备。拥有来自国际一流半导体企业的技术专家和资深人士，保障了产品的质量与产能。此外，英诺赛科通过国际标准（如ISO9001和IATF16949）的认证，采用先进的质量管理系统（QMS），持续改进生产质量工艺。在可靠性方面，英诺赛科具备拥有出众的晶圆级、封装级以及系统级的测试能力，对系列产品及产品迭代开展常规的检测，以满足JEDEC标准。同时，我们还可根据客户特殊的需求定制检测方案。

迄今为止，英诺赛科器件出货已超百万颗，因器件性能或可靠性问题的返厂率为0%。这再一次证明英诺赛科器件的卓越性能。